长电科技:Chiplet系列工艺已进入稳定量产阶段_集成_芯片_技术

松果财经获悉,1月5日,长电科技宣布,公司XDFOI™ Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为1500mm²的系统级封装。 此前,应市场发

松果财经获悉,1月5日,长电科技宣布,公司XDFOI™ Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为1500mm²的系统级封装。

此前,应市场发展之需,长电科技于2021年7月正式推出面向Chiplet(小芯片)的高密度多维异构集成技术平台XDFOI™,利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化,涵盖2D、2.5D、3D Chiplet集成技术。

经过持续研发与客户产品验证,长电科技XDFOI™不断取得突破,可有效解决后摩尔时代客户芯片成品制造的痛点,通过小芯片异构集成技术,在有机重布线堆叠中介层(RDL Stack Interposer,RSI)上,放置一颗或多颗逻辑芯片(CPU/GPU等),以及I/O Chiplet和/或高带宽内存芯片(HBM)等,形成一颗高集成度的异构封装体。

目前,长电科技XDFOI™技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内,微凸点(µBump)中心距为40μm,实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成,达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。

此外,该技术还可以在封装体背面进行金属沉积,在有效提高散热效率的同时,根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。

来源:松果财经

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