集微网消息，据韩媒《The Elec》报道，三星计划年底前在韩国平泽的P4工厂以及美国得州工厂建设试产线。
据悉，位于美国得州的新工厂将是一家代工厂并用于生产5G、人工智能、高性能计算等先进芯片，P4工厂则用以生产存储以及逻辑芯片。
对于晶圆厂或芯片生产设备，试产线通常早于主生产线前三个月建成，因为新建的晶圆厂通常采用较先进工艺。如对于NAND以及对于4纳米到3纳米的逻辑芯片升级，通常意味着可能有更多的层和更先进工艺。
此外，在主生产线顺利的情况下，三星将于2024年的某个时间点进行商业化生产。
此前，市场也传出三星扩产计划。三星计划增加位于韩国平泽的P3工厂产能，提升用于生产DRAM内存芯片的12英寸晶圆产量。据悉，三星电子计划明年增加至少10台极紫外光刻机。
（校对/赵月）
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